Name: Toshiba Semiconductor and Storage 1SS367,H3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 1SS367,H3F
Price: 0.0394 USD
Availability: InStock
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Toshiba Semiconductor and Storage 1SS367,H3F

Artikelnummer:

1SS367,H3F

Hersteller / Marke:

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)

Teil der Beschreibung.:

DIODE SCHOTTKY 10V 100MA USC

Datenblätte:

1.1SS367,H3F.pdf ···: PCN -Verpackung
Marking Chg 08/Feb/2016.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Toshiba Semiconductor and Storage 1SS367,H3F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments 1SS367,H3F.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	500 mV @ 100 mA
Spannung - Sperr (Vr) (max)	10 V
Technologie	Schottky
Supplier Device-Gehäuse	USC
Geschwindigkeit	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-
Verpackung / Gehäuse	SC-76, SOD-323
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur - Anschluss	125°C (Max)
Befestigungsart	Surface Mount
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	20 µA @ 10 V
Strom - Richt (Io)	100mA
Kapazität @ Vr, F	40pF @ 0V, 1MHz
Grundproduktnummer	1SS367
1SS367,H3F Einzelheiten PDF [English]	1SS367,H3F PDF - EN.pdf

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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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